收藏本站
NTZD3152P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
250
200
150
V GS = 0 V
C ISS
T J = 25 ° C
5
4
3
? V DS
QT
? V GS
10
9
8
7
6
5
100
2
4
C OSS
Q GS
Q GD
3
50
0
0
C RSS
5 10
15
20
1
0
0
0.2
0.4 0.6 0.8
1
1.2
1.4
I D = ? 0.215 A
T J = 25 ° C
1.6 1.8
2
2
1
0
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
100
0.6
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t d(off)
t f
0.4
10
t r
t d(on)
0.2
1
V DD = ? 10 V
I D = ? 0.215 A
V GS = ? 4.5 V
0
1
10
100
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
4
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTZD3154NT5G MOSFET N-CHAN DUAL 20V SOT-563
NTZD3155CT2G MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT-563
NTZD3156CT5G MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
NTZD5110NT5G MOSFET N-CH DUAL 60V SOT563
NTZS3151PT5G MOSFET P-CH 20V 860MA SOT-563
NV06P00472J-- THERMISTOR NTC DISK 4.7KOHM 5%
NVB25P06T4G MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
NVB6410ANT4G MSOFET N-CH 100V 76A D2PAK
相关代理商/技术参数
NTZD3152PT5H 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET −20 V, −430 mA, Dual P−Channel with ESD Protection, SOT−563
NTZD3154N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET 20 V, 540 mA, Dual N−Channel
NTZD3154NT1G 功能描述:MOSFET 20V 540mA Dual N-Channel w/ESD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTZD3154NT1H 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NFET SOT563 20V 540MA TR - Tape and Reel
NTZD3154NT2G 功能描述:MOSFET NFET 540MA 20V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTZD3154NT5G 功能描述:MOSFET 20V 540mA Dual N-Channel w/ESD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTZD3155C 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET Complementary 20 V, 540 mA / -430 mA, with ESD protection, SOT-563 package.
NTZD3155CT1G 功能描述:MOSFET 20V 540mA/-430mA Complementary w/ESD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube